ST(意法半导体)此次展示的是使用 120nm工艺生产的512Mbit产品。ST将从 本月起另始供应此次展示的512Mbit样品，并于2004年第l季度开始量产，2004年上 半年还将量产256Mbit及128Mbit的产品，从2004年下半年起将使用90nm工艺来量产存储容量1Gbit以上的NAND型闪存 EEPROM。